
空洞产生的机理
助焊剂挥发形成气泡,传统回流焊中气泡因内部压力无法被焊料填充。
行业标准对比
IPC-A-610:有铅工艺空洞率≤25%,无铅工艺放宽至≤30%;
军工 / 半导体:单个空洞率≤1%,整体≤5%(如 IGBT 模块)。
失效案例
空洞率 20% 时,MOSFET 热阻增大 6.53%,表面温度升高 5.2℃;
空洞率 79% 时,器件热阻激增 27.18%,易引发炸裂。
首页 / 新闻 / 行业动态

空洞产生的机理
助焊剂挥发形成气泡,传统回流焊中气泡因内部压力无法被焊料填充。
行业标准对比
IPC-A-610:有铅工艺空洞率≤25%,无铅工艺放宽至≤30%;
军工 / 半导体:单个空洞率≤1%,整体≤5%(如 IGBT 模块)。
失效案例
空洞率 20% 时,MOSFET 热阻增大 6.53%,表面温度升高 5.2℃;
空洞率 79% 时,器件热阻激增 27.18%,易引发炸裂。